SI7625DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7625DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：24067
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.457576 | ￥13.46 |
| 10 | ￥11.015275 | ￥110.15 |
| 100 | ￥8.563007 | ￥856.30 |
| 500 | ￥7.25812 | ￥3629.06 |
| 1000 | ￥5.912612 | ￥5912.61 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 47 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7625DN-GE3
单位重量 1 g
SI7625DN-T1-GE3 同类别型号
注
SI7625DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI7625DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7625DN-T1-GE3
型号：SI7625DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：24067 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.457576 |
| 10+： | ￥11.015275 |
| 100+： | ￥8.563007 |
| 500+： | ￥7.25812 |
| 1000+： | ￥5.912612 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.46