
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥263.174444 | ¥263.17 |
| 10 | ¥241.892468 | ¥2418.92 |
| 100 | ¥204.290689 | ¥20429.07 |
| 500 | ¥181.730709 | ¥90865.35 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 36 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0UJ3C065030T3S
型号:UJ3C065030T3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥263.174444 |
| 10+: | ¥241.892468 |
| 100+: | ¥204.290689 |
| 500+: | ¥181.730709 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥263.17