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UJ3C065030T3S

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
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制造商编号:
UJ3C065030T3S
制造商:
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
渠道:
digikey

库存 :1781

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 263.174444 263.17
10 241.892468 2418.92
100 204.290689 20429.07
500 181.730709 90865.35

规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 85 A

漏源电阻 35 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 51 nC

耗散功率 441 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

上升时间 22 ns

典型关闭延迟时间 56 ns

典型接通延迟时间 36 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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型号:UJ3C065030T3S

品牌:SiC

供货:锐单

库存:1781 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥263.174444
10+: ¥241.892468
100+: ¥204.290689
500+: ¥181.730709

货期:7-10天

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