UF3C065030T3S
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- 制造商编号：
- UF3C065030T3S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：4681
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥227.652185 | ￥227.65 |
| 50 | ￥184.333583 | ￥9216.68 |
| 100 | ￥173.489626 | ￥17348.96 |
| 500 | ￥157.22481 | ￥78612.40 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 43 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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注
UF3C065030T3S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、UF3C065030T3S
数据手册PDF。
UF3C065030T3S
型号：UF3C065030T3S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：4681 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥227.652185 |
| 50+： | ￥184.333583 |
| 100+： | ￥173.489626 |
| 500+： | ￥157.22481 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥227.65