
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.847392 | ¥5542.18 |
| 6000 | ¥1.700054 | ¥10200.32 |
| 15000 | ¥1.530048 | ¥22950.72 |
| 30000 | ¥1.507381 | ¥45221.43 |
| 75000 | ¥1.416711 | ¥106253.32 |
| 150000 | ¥1.360043 | ¥204006.45 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.2 A
漏源电阻 66 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 16.8 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 10 S
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 0.7 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6K403TU,LF
型号:SSM6K403TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.847392 |
| 6000+: | ¥1.700054 |
| 15000+: | ¥1.530048 |
| 30000+: | ¥1.507381 |
| 75000+: | ¥1.416711 |
| 150000+: | ¥1.360043 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00