
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥233.857435 | ¥233.86 |
| 10 | ¥214.950679 | ¥2149.51 |
| 100 | ¥181.536076 | ¥18153.61 |
| 500 | ¥161.488673 | ¥80744.34 |
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 36 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.8 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.7 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMZ120R060M1H SP001808370
单位重量 6 g
购物车
0IMZ120R060M1HXKSA1
型号:IMZ120R060M1HXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥233.857435 |
| 10+: | ¥214.950679 |
| 100+: | ¥181.536076 |
| 500+: | ¥161.488673 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥233.86