
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.148759 | ¥11.15 |
| 10 | ¥9.810908 | ¥98.11 |
| 100 | ¥7.524018 | ¥752.40 |
| 500 | ¥5.947863 | ¥2973.93 |
| 1000 | ¥4.758291 | ¥4758.29 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 11.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 13.5 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E110AJ
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0RQ3E110AJTB
型号:RQ3E110AJTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.148759 |
| 10+: | ¥9.810908 |
| 100+: | ¥7.524018 |
| 500+: | ¥5.947863 |
| 1000+: | ¥4.758291 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.15