SIHD6N80E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD6N80E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 800V TO-252
- 渠道：
- digikey
库存 ：1553
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.077165 | ￥31.08 |
| 10 | ￥27.913705 | ￥279.14 |
| 100 | ￥22.431303 | ￥2243.13 |
| 500 | ￥18.430015 | ￥9215.01 |
| 1000 | ￥15.797095 | ￥15797.10 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 820 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 2.5 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD6N80E-GE3 同类别型号
注
SIHD6N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHD6N80E-GE3、查询SIHD6N80E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHD6N80E-GE3
数据手册PDF。
SIHD6N80E-GE3
型号：SIHD6N80E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1553 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.077165 |
| 10+： | ￥27.913705 |
| 100+： | ￥22.431303 |
| 500+： | ￥18.430015 |
| 1000+： | ￥15.797095 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.08