
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.322437 | ¥39.32 |
| 10 | ¥35.376491 | ¥353.76 |
| 100 | ¥28.431355 | ¥2843.14 |
| 500 | ¥23.359719 | ¥11679.86 |
| 1000 | ¥19.355134 | ¥19355.13 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 5.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7478DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7478DP-T1-GE3
型号:SI7478DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.322437 |
| 10+: | ¥35.376491 |
| 100+: | ¥28.431355 |
| 500+: | ¥23.359719 |
| 1000+: | ¥19.355134 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.32