货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥134.761729 | ¥134.76 |
10 | ¥118.732327 | ¥1187.32 |
100 | ¥102.687147 | ¥10268.71 |
500 | ¥93.060039 | ¥46530.02 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 26 ns
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 44 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UJ3C065030K3S
型号:UJ3C065030K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥134.761729 |
10+: | ¥118.732327 |
100+: | ¥102.687147 |
500+: | ¥93.060039 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥134.76