SISC06DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISC06DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.760805 | ￥8282.41 |
| 6000 | ￥2.509822 | ￥15058.93 |
| 15000 | ￥2.393984 | ￥35909.76 |
| 30000 | ￥2.316759 | ￥69502.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 38.5 nC
耗散功率 46.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISC06DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISC06DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISC06DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISC06DN-T1-GE3
型号：SISC06DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.760805 |
| 6000+： | ￥2.509822 |
| 15000+： | ￥2.393984 |
| 30000+： | ￥2.316759 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00