
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.715526 | ¥36.72 |
| 10 | ¥23.620321 | ¥236.20 |
| 100 | ¥16.144123 | ¥1614.41 |
| 500 | ¥12.93794 | ¥6468.97 |
| 1000 | ¥11.905163 | ¥11905.16 |
| 2000 | ¥11.036076 | ¥22072.15 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 11.2 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.95 mm
长度 5 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
购物车
0TPH6400ENH,L1Q
型号:TPH6400ENH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.715526 |
| 10+: | ¥23.620321 |
| 100+: | ¥16.144123 |
| 500+: | ¥12.93794 |
| 1000+: | ¥11.905163 |
| 2000+: | ¥11.036076 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.72