FQP4N80
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- 制造商编号：
- FQP4N80
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.016026 | ￥15.02 |
| 10 | ￥13.507272 | ￥135.07 |
| 100 | ￥10.858016 | ￥1085.80 |
| 500 | ￥8.920951 | ￥4460.48 |
| 1000 | ￥7.391603 | ￥7391.60 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FQP4N80
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
包装
Tube
系列
QFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
880pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
FQP4N80 同类别型号
注
FQP4N80品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、FQP4N80
数据手册PDF。
FQP4N80
型号：FQP4N80
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.016026 |
| 10+： | ￥13.507272 |
| 100+： | ￥10.858016 |
| 500+： | ￥8.920951 |
| 1000+： | ￥7.391603 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.02