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制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 66 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 93 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 90 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.5 mm
长度 10.3 mm
宽度 9.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934056840118
单位重量 4 g
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0PHB66NQ03LT,118
型号:PHB66NQ03LT,118
品牌:Nexperia
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