UF3C065030K4S
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- 制造商编号：
- UF3C065030K4S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥141.801727 | ￥141.80 |
| 10 | ￥130.294405 | ￥1302.94 |
| 100 | ￥110.041235 | ￥11004.12 |
| 500 | ￥97.889334 | ￥48944.67 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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UF3C065030K4S 同类别型号
注
UF3C065030K4S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、UF3C065030K4S
数据手册PDF。
UF3C065030K4S
型号：UF3C065030K4S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥141.801727 |
| 10+： | ￥130.294405 |
| 100+： | ￥110.041235 |
| 500+： | ￥97.889334 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥141.80