
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.360799 | ¥39.36 |
| 10 | ¥35.370428 | ¥353.70 |
| 100 | ¥28.430712 | ¥2843.07 |
| 500 | ¥23.35887 | ¥11679.43 |
| 1000 | ¥19.354383 | ¥19354.38 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 5.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7478DP-E3
单位重量 506.600 mg
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0SI7478DP-T1-E3
型号:SI7478DP-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.360799 |
| 10+: | ¥35.370428 |
| 100+: | ¥28.430712 |
| 500+: | ¥23.35887 |
| 1000+: | ¥19.354383 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.36