
货期:国内(1~3工作日)
起订量:8000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ¥0.248879 | ¥1991.03 |
| 16000 | ¥0.213737 | ¥3419.79 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 150 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RV1C002UN
单位重量 143.050 mg
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0RV1C002UNT2CL
型号:RV1C002UNT2CL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 8000+: | ¥0.248879 |
| 16000+: | ¥0.213737 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00