货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.54897 | ¥2.55 |
10 | ¥2.476966 | ¥24.77 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 g
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0DMN32D2LFB4-7
型号:DMN32D2LFB4-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.54897 |
10+: | ¥2.476966 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.55