货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.031415 | ¥8.03 |
10 | ¥7.092358 | ¥70.92 |
25 | ¥6.66731 | ¥166.68 |
100 | ¥4.839854 | ¥483.99 |
250 | ¥4.667118 | ¥1166.78 |
500 | ¥4.043633 | ¥2021.82 |
1000 | ¥3.441276 | ¥3441.28 |
2500 | ¥3.226158 | ¥8065.39 |
5000 | ¥2.903542 | ¥14517.71 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 76 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 9.3 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.3 ns
上升时间 9.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.4 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM900N06CH
单位重量 340 mg
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0TSM900N06CH X0G
型号:TSM900N06CH X0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.031415 |
10+: | ¥7.092358 |
25+: | ¥6.66731 |
100+: | ¥4.839854 |
250+: | ¥4.667118 |
500+: | ¥4.043633 |
1000+: | ¥3.441276 |
2500+: | ¥3.226158 |
5000+: | ¥2.903542 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.03