货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥236.50444 | ¥236.50 |
30 | ¥191.483863 | ¥5744.52 |
120 | ¥180.221494 | ¥21626.58 |
510 | ¥163.326005 | ¥83296.26 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 57 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
品牌:Transphorm
价格:¥1967.948788
品牌:Transphorm
价格:¥213.512089
品牌:Transphorm
价格:¥164.458675
品牌:Transphorm
价格:¥145.80108
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0TP65H050WSQA
型号:TP65H050WSQA
品牌:Transphorm
供货:锐单
单价:
1+: | ¥236.50444 |
30+: | ¥191.483863 |
120+: | ¥180.221494 |
510+: | ¥163.326005 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥236.50