货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.300539 | ¥5.30 |
10 | ¥4.65346 | ¥46.53 |
100 | ¥3.566505 | ¥356.65 |
500 | ¥2.819611 | ¥1409.81 |
1000 | ¥2.255689 | ¥2255.69 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 -
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 225 mS
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVNL110ASTZ
型号:ZVNL110ASTZ
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.300539 |
10+: | ¥4.65346 |
100+: | ¥3.566505 |
500+: | ¥2.819611 |
1000+: | ¥2.255689 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.30