SQ3427EV-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ3427EV-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 6TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：395
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.605415 | ￥9.61 |
| 10 | ￥8.408218 | ￥84.08 |
| 100 | ￥6.442589 | ￥644.26 |
| 500 | ￥5.092541 | ￥2546.27 |
| 1000 | ￥4.074089 | ￥4074.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3427EV-T1_BE3
单位重量 20 mg
SQ3427EV-T1_GE3 同类别型号
注
SQ3427EV-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQ3427EV-T1_GE3、查询SQ3427EV-T1_GE3代理商；
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替代型号
、SQ3427EV-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ3427EV-T1_GE3
型号：SQ3427EV-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：395 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.605415 |
| 10+： | ￥8.408218 |
| 100+： | ￥6.442589 |
| 500+： | ￥5.092541 |
| 1000+： | ￥4.074089 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.61