SQJ860EP-T1_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ860EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：12507
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.2555 | ￥10.26 |
| 10 | ￥9.056965 | ￥90.57 |
| 25 | ￥8.505887 | ￥212.65 |
| 100 | ￥6.171834 | ￥617.18 |
| 250 | ￥5.952638 | ￥1488.16 |
| 500 | ￥5.15691 | ￥2578.45 |
| 1000 | ￥4.38886 | ￥4388.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 78 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ860EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ860EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQJ860EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ860EP-T1_GE3
型号：SQJ860EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12507 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.2555 |
| 10+： | ￥9.056965 |
| 25+： | ￥8.505887 |
| 100+： | ￥6.171834 |
| 250+： | ￥5.952638 |
| 500+： | ￥5.15691 |
| 1000+： | ￥4.38886 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.26