
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥164.824479 | ¥164.82 |
| 10 | ¥145.184313 | ¥1451.84 |
| 100 | ¥125.569633 | ¥12556.96 |
| 500 | ¥113.797427 | ¥56898.71 |
| 1000 | ¥104.379776 | ¥104379.78 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 43.3 A
漏源电阻 72 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 161 nC
耗散功率 391 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R080CFDA SP000875806
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R080CFDAFKSA1
型号:IPW65R080CFDAFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥164.824479 |
| 10+: | ¥145.184313 |
| 100+: | ¥125.569633 |
| 500+: | ¥113.797427 |
| 1000+: | ¥104.379776 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥164.82