货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥143.753712 | ¥143.75 |
10 | ¥126.624298 | ¥1266.24 |
100 | ¥109.517112 | ¥10951.71 |
500 | ¥99.249836 | ¥49624.92 |
1000 | ¥91.036115 | ¥91036.11 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 43.3 A
漏源电阻 72 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 161 nC
耗散功率 391 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R080CFDA SP000875806
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R080CFDAFKSA1
型号:IPW65R080CFDAFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥143.753712 |
10+: | ¥126.624298 |
100+: | ¥109.517112 |
500+: | ¥99.249836 |
1000+: | ¥91.036115 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥143.75