货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.534036 | ¥18.53 |
10 | ¥16.581784 | ¥165.82 |
25 | ¥15.741574 | ¥393.54 |
100 | ¥11.806181 | ¥1180.62 |
250 | ¥11.693741 | ¥2923.44 |
500 | ¥10.007143 | ¥5003.57 |
1000 | ¥8.151887 | ¥8151.89 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 9.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0TK33S10N1Z,LQ
型号:TK33S10N1Z,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.534036 |
10+: | ¥16.581784 |
25+: | ¥15.741574 |
100+: | ¥11.806181 |
250+: | ¥11.693741 |
500+: | ¥10.007143 |
1000+: | ¥8.151887 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.53