
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.250671 | ¥21.25 |
| 10 | ¥19.012266 | ¥190.12 |
| 25 | ¥18.048903 | ¥451.22 |
| 100 | ¥13.536677 | ¥1353.67 |
| 250 | ¥13.407757 | ¥3351.94 |
| 500 | ¥11.473945 | ¥5736.97 |
| 1000 | ¥9.346753 | ¥9346.75 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 9.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK33S10N1Z,LQ
型号:TK33S10N1Z,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.250671 |
| 10+: | ¥19.012266 |
| 25+: | ¥18.048903 |
| 100+: | ¥13.536677 |
| 250+: | ¥13.407757 |
| 500+: | ¥11.473945 |
| 1000+: | ¥9.346753 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.25