NVMFD6H852NLT1G
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- 制造商编号：
- NVMFD6H852NLT1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- FET NCH 80V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.430413 | ￥14.43 |
| 10 | ￥11.755811 | ￥117.56 |
| 100 | ￥9.144653 | ￥914.47 |
| 500 | ￥7.75162 | ￥3875.81 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 25.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 138 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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注
NVMFD6H852NLT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVMFD6H852NLT1G
数据手册PDF。
NVMFD6H852NLT1G
型号：NVMFD6H852NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.430413 |
| 10+： | ￥11.755811 |
| 100+： | ￥9.144653 |
| 500+： | ￥7.75162 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.43