货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥33.026874 | ¥33.03 |
10 | ¥29.712349 | ¥297.12 |
100 | ¥23.879969 | ¥2388.00 |
500 | ¥19.619858 | ¥9809.93 |
1000 | ¥16.256561 | ¥16256.56 |
2000 | ¥15.135424 | ¥30270.85 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 92 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 142 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 0.73 mm
长度 5 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 104 mg
购物车
0TPW4R50ANH,L1Q
型号:TPW4R50ANH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥33.026874 |
10+: | ¥29.712349 |
100+: | ¥23.879969 |
500+: | ¥19.619858 |
1000+: | ¥16.256561 |
2000+: | ¥15.135424 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥33.03