
货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥12.16364 | ¥12163.64 |
| 2000 | ¥11.324787 | ¥22649.57 |
| 5000 | ¥10.905362 | ¥54526.81 |
| 10000 | ¥10.485934 | ¥104859.34 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB083N10N3 G SP000458812
单位重量 4 g
购物车
0IPB083N10N3GATMA1
型号:IPB083N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥12.16364 |
| 2000+: | ¥11.324787 |
| 5000+: | ¥10.905362 |
| 10000+: | ¥10.485934 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00