货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.59212 | ¥9.59 |
10 | ¥8.447999 | ¥84.48 |
100 | ¥6.47757 | ¥647.76 |
500 | ¥5.120806 | ¥2560.40 |
1000 | ¥4.096644 | ¥4096.64 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 73 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 66 S
上升时间 6.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.3 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
开发套件 TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100 mg
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0CSD17307Q5A
型号:CSD17307Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.59212 |
10+: | ¥8.447999 |
100+: | ¥6.47757 |
500+: | ¥5.120806 |
1000+: | ¥4.096644 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.59