货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.685561 | ¥8056.68 |
6000 | ¥2.557646 | ¥15345.88 |
9000 | ¥2.439616 | ¥21956.54 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 1.38 Ohms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA456DJ-GE3
单位重量 50.585 mg
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0SIA456DJ-T1-GE3
型号:SIA456DJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.685561 |
6000+: | ¥2.557646 |
9000+: | ¥2.439616 |
货期:1-2天
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