IPB083N10N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPB083N10N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：822
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.589057 | ￥21.59 |
| 10 | ￥19.393969 | ￥193.94 |
| 100 | ￥15.583922 | ￥1558.39 |
| 500 | ￥12.803638 | ￥6401.82 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 45 S
上升时间 42 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 18 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB083N10N3 G SP000458812
单位重量 4 g
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注
IPB083N10N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPB083N10N3GATMA1
数据手册PDF
。
IPB083N10N3GATMA1
型号：IPB083N10N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：822 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.589057 |
| 10+： | ￥19.393969 |
| 100+： | ￥15.583922 |
| 500+： | ￥12.803638 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.59