STU13N65M2
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STU13N65M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：2993
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.38744 | ￥20.39 |
| 10 | ￥18.274559 | ￥182.75 |
| 25 | ￥17.239124 | ￥430.98 |
| 100 | ￥13.444589 | ￥1344.46 |
| 250 | ￥13.099856 | ￥3274.96 |
| 500 | ￥11.376191 | ￥5688.10 |
| 1000 | ￥9.652525 | ￥9652.53 |
| 2500 | ￥9.514632 | ￥23786.58 |
| 5000 | ￥8.825166 | ￥44125.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STU13N65M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
包装
Tube
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
430mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
590pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
IPAK (TO-251)
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STU13N65M2 相关产品
STU13N65M2 同类别型号
注
STU13N65M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STU13N65M2、查询STU13N65M2代理商；
STU13N65M2价格批发咨询客服；这里拥有
STU13N65M2中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STU13N65M2
替代型号
、STU13N65M2
数据手册PDF。
STU13N65M2
型号：STU13N65M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：2993 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.38744 |
| 10+： | ￥18.274559 |
| 25+： | ￥17.239124 |
| 100+： | ￥13.444589 |
| 250+： | ￥13.099856 |
| 500+： | ￥11.376191 |
| 1000+： | ￥9.652525 |
| 2500+： | ￥9.514632 |
| 5000+： | ￥8.825166 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.39