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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥7.439989 | ¥18599.97 |
5000 | ¥7.164435 | ¥35822.18 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 160 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FDD86250-F085
型号:FDD86250-F085
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥7.439989 |
5000+: | ¥7.164435 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00