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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.833665 | ¥4.83 |
10 | ¥4.246958 | ¥42.47 |
100 | ¥3.25689 | ¥325.69 |
500 | ¥2.57451 | ¥1287.26 |
1000 | ¥2.059617 | ¥2059.62 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 6.6 S
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0ZXMN6A08GTA
型号:ZXMN6A08GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.833665 |
10+: | ¥4.246958 |
100+: | ¥3.25689 |
500+: | ¥2.57451 |
1000+: | ¥2.059617 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.83