货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥140.360999 | ¥140.36 |
10 | ¥129.470802 | ¥1294.71 |
100 | ¥110.55752 | ¥11055.75 |
500 | ¥100.374842 | ¥50187.42 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 735 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 170 ns
上升时间 170 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 450 ns
典型接通延迟时间 65 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0R6076ENZ4C13
型号:R6076ENZ4C13
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥140.360999 |
10+: | ¥129.470802 |
100+: | ¥110.55752 |
500+: | ¥100.374842 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥140.36