
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥114.767015 | ¥114.77 |
| 10 | ¥105.86258 | ¥1058.63 |
| 100 | ¥90.398021 | ¥9039.80 |
| 500 | ¥82.072093 | ¥41036.05 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 735 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 170 ns
上升时间 170 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 450 ns
典型接通延迟时间 65 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0R6076ENZ4C13
型号:R6076ENZ4C13
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥114.767015 |
| 10+: | ¥105.86258 |
| 100+: | ¥90.398021 |
| 500+: | ¥82.072093 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥114.77