
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.23419 | ¥40.23 |
| 10 | ¥26.022189 | ¥260.22 |
| 100 | ¥17.882033 | ¥1788.20 |
| 500 | ¥14.399557 | ¥7199.78 |
| 1000 | ¥13.280038 | ¥13280.04 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 49 A
漏源电阻 7.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 18.7 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 62 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 74 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NVD5C668NLT4G
型号:NVD5C668NLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.23419 |
| 10+: | ¥26.022189 |
| 100+: | ¥17.882033 |
| 500+: | ¥14.399557 |
| 1000+: | ¥13.280038 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.23