货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.177776 | ¥16.18 |
10 | ¥14.552965 | ¥145.53 |
100 | ¥11.695125 | ¥1169.51 |
500 | ¥9.608474 | ¥4804.24 |
1000 | ¥8.007156 | ¥8007.16 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 114 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Preliminary
零件号别名 IRF1104PBF SP001570050
单位重量 2 g
购物车
0IRF1104PBF
型号:IRF1104PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.177776 |
10+: | ¥14.552965 |
100+: | ¥11.695125 |
500+: | ¥9.608474 |
1000+: | ¥8.007156 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.18