货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.728938 | ¥13.73 |
10 | ¥12.320292 | ¥123.20 |
100 | ¥9.901281 | ¥990.13 |
500 | ¥8.134968 | ¥4067.48 |
1000 | ¥7.395393 | ¥7395.39 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 9.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD19503KCS
型号:CSD19503KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.728938 |
10+: | ¥12.320292 |
100+: | ¥9.901281 |
500+: | ¥8.134968 |
1000+: | ¥7.395393 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.73