SIHU6N80E-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHU6N80E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 800V TO-251
- 渠道：
- digikey
库存 ：2988
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.272249 | ￥30.27 |
| 10 | ￥27.158533 | ￥271.59 |
| 100 | ￥21.828145 | ￥2182.81 |
| 500 | ￥17.934023 | ￥8967.01 |
| 1000 | ￥15.372126 | ￥15372.13 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 820 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 2.5 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
SIHU6N80E-GE3 同类别型号
注
SIHU6N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHU6N80E-GE3
数据手册PDF。
SIHU6N80E-GE3
型号：SIHU6N80E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2988 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥30.272249 |
| 10+： | ￥27.158533 |
| 100+： | ￥21.828145 |
| 500+： | ￥17.934023 |
| 1000+： | ￥15.372126 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.27