货期:(7~10天)
起订量:109
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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109 | ¥1.52751 | ¥166.50 |
300 | ¥1.52751 | ¥458.25 |
500 | ¥1.52751 | ¥763.75 |
1000 | ¥1.38854 | ¥1388.54 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 6.6 S
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0ZXMN6A08GTA
型号:ZXMN6A08GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
109+: | ¥1.52751 |
300+: | ¥1.52751 |
500+: | ¥1.52751 |
1000+: | ¥1.38854 |
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