货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.179228 | ¥10.18 |
10 | ¥8.93377 | ¥89.34 |
100 | ¥6.850022 | ¥685.00 |
500 | ¥5.41511 | ¥2707.56 |
1000 | ¥4.332041 | ¥4332.04 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 78 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.700 mg
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0CSD17581Q3A
型号:CSD17581Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.179228 |
10+: | ¥8.93377 |
100+: | ¥6.850022 |
500+: | ¥5.41511 |
1000+: | ¥4.332041 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.18