
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.395127 | ¥9.40 |
| 10 | ¥5.788611 | ¥57.89 |
| 100 | ¥3.697438 | ¥369.74 |
| 500 | ¥2.796112 | ¥1398.06 |
| 1000 | ¥2.505167 | ¥2505.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 mA
漏源电阻 280 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 115 ns
正向跨导(Min) 8 mS
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS126 H6327 SP000919334
单位重量 34 mg
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0BSS126H6327XTSA2
型号:BSS126H6327XTSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.395127 |
| 10+: | ¥5.788611 |
| 100+: | ¥3.697438 |
| 500+: | ¥2.796112 |
| 1000+: | ¥2.505167 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.40