货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.84554 | ¥12.85 |
50 | ¥10.292308 | ¥514.62 |
100 | ¥8.467953 | ¥846.80 |
500 | ¥7.165357 | ¥3582.68 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 44.7 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
正向跨导(Min) 6.8 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF640NLPBF SP001563296
单位重量 2.387 g
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0IRF640NLPBF
型号:IRF640NLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.84554 |
50+: | ¥10.292308 |
100+: | ¥8.467953 |
500+: | ¥7.165357 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.85