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SIA414DJ-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIA414DJ-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 3.185543 9556.63

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 8 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 11 mOhms

栅极电压 - 5 V, + 5 V

栅源极阈值电压 350 mV

栅极电荷 19 nC

耗散功率 19 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20 ns

正向跨导(Min) 50 S

上升时间 10 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 65 ns

典型接通延迟时间 12 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIA414DJ-GE3

单位重量 1 g

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SIA414DJ-T1-GE3

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型号:SIA414DJ-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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