货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.420657 | ¥4.42 |
10 | ¥3.10709 | ¥31.07 |
100 | ¥1.571228 | ¥157.12 |
500 | ¥1.281233 | ¥640.62 |
1000 | ¥0.950695 | ¥950.69 |
2000 | ¥0.79976 | ¥1599.52 |
5000 | ¥0.764647 | ¥3823.23 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 340 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 440 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.4 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN61D9UWQ-13
型号:DMN61D9UWQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.420657 |
10+: | ¥3.10709 |
100+: | ¥1.571228 |
500+: | ¥1.281233 |
1000+: | ¥0.950695 |
2000+: | ¥0.79976 |
5000+: | ¥0.764647 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.42