
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.068617 | ¥5.07 |
| 10 | ¥3.562513 | ¥35.63 |
| 100 | ¥1.801531 | ¥180.15 |
| 500 | ¥1.46903 | ¥734.51 |
| 1000 | ¥1.090044 | ¥1090.04 |
| 2000 | ¥0.916985 | ¥1833.97 |
| 5000 | ¥0.876726 | ¥4383.63 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 340 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 440 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.4 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN61D9UWQ-13
型号:DMN61D9UWQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.068617 |
| 10+: | ¥3.562513 |
| 100+: | ¥1.801531 |
| 500+: | ¥1.46903 |
| 1000+: | ¥1.090044 |
| 2000+: | ¥0.916985 |
| 5000+: | ¥0.876726 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.07