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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.758528 | ¥11.76 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC014NE2LSI SP000911336
单位重量 118.340 mg
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0BSC014NE2LSIATMA1
型号:BSC014NE2LSIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.758528 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.76