
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥27.54855 | ¥27.55 |
| 10 | ¥22.859107 | ¥228.59 |
| 100 | ¥18.19752 | ¥1819.75 |
| 500 | ¥15.397784 | ¥7698.89 |
| 1000 | ¥13.064822 | ¥13064.82 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 59 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 351 mg
购物车
0NVD5C464NT4G
型号:NVD5C464NT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥27.54855 |
| 10+: | ¥22.859107 |
| 100+: | ¥18.19752 |
| 500+: | ¥15.397784 |
| 1000+: | ¥13.064822 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.55