
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.554924 | ¥10.55 |
| 10 | ¥9.100058 | ¥91.00 |
| 100 | ¥6.297297 | ¥629.73 |
| 500 | ¥5.262344 | ¥2631.17 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.4 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 112 mg
购物车
0ZXMN10A11GTA
型号:ZXMN10A11GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.554924 |
| 10+: | ¥9.100058 |
| 100+: | ¥6.297297 |
| 500+: | ¥5.262344 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.55