货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥54.78457 | ¥54.78 |
30 | ¥43.726439 | ¥1311.79 |
120 | ¥39.124068 | ¥4694.89 |
510 | ¥34.521464 | ¥17605.95 |
1020 | ¥31.069276 | ¥31690.66 |
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 26 A
漏源电阻 117 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.6 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.5 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW120R090M1H SP001946164
单位重量 6 g
购物车
0IMW120R090M1HXKSA1
型号:IMW120R090M1HXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥54.78457 |
30+: | ¥43.726439 |
120+: | ¥39.124068 |
510+: | ¥34.521464 |
1020+: | ¥31.069276 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥54.78