BSC082N10LSGATMA1
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- 制造商编号：
- BSC082N10LSGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：6585
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥42.297597 | ￥42.30 |
| 10 | ￥35.077097 | ￥350.77 |
| 100 | ￥27.916414 | ￥2791.64 |
| 500 | ￥23.621997 | ￥11811.00 |
| 1000 | ￥20.042937 | ￥20042.94 |
| 2000 | ￥19.040897 | ￥38081.79 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC082N10LSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13.8A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.2mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
104nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7400pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
BSC082N10LSGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
BSC082N10LSGATMA1
型号：BSC082N10LSGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：6585 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥42.297597 |
| 10+： | ￥35.077097 |
| 100+： | ￥27.916414 |
| 500+： | ￥23.621997 |
| 1000+： | ￥20.042937 |
| 2000+： | ￥19.040897 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥42.30